快速恢复二极管的工作原理
编辑：Simone
2024-11-05 09:33:25
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快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结快恢复二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了p-i-n结。
图是反向恢复电流的波形图。图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流管上的正向电压突然变成反向电压，因此，正向电流迅速减小，在t=t1时刻，I=0。然后整流管上的反向电流IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并且在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。由t1到t3的时间间隔即为反向恢复时间trr。
一般来说，快恢复二极管的正向压降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，为了降低损耗才用快恢复二极管。
如果快恢复二极管反向击穿电压是40V，反向击穿之后能够快速恢复；如果快恢复二极管反向击穿电压1000V，则不存在反向击穿的问题，所以这点在直流电路中是可以不用考虑。
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